Транзистор биполярный 2N3055

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

ХАРАКТЕРИСТИКИ
Тип продукции    Биполярный транзистор
Тип корпуса    TO-3
Тип подключения    Контакты для пайки
Структура транзистора    NPN
Рассеиваемая мощность, Вт    117 Вт
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В    100 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В    70 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А    15 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe)    20
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц    0.2 МГц
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В    7 В
Рабочая температура, °C    +200°C

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками.

Спецификация:
Структура: NPN;
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В: 100;
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В: 70;
Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А): 15;
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15;
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц: 0.8;
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 115;
Корпус: ТО-3.